核心區(qū)別在于：是否通過迭代更新電子密度以滿足自洽條件，二者的計算目的、流程和參數(shù)設置截然不同。

一、 核心定義與本質(zhì)區(qū)別

1、自洽計算（SCF）

自洽計算的核心目標是求解基態(tài)電子密度。

它基于 Kohn-Sham 方程，通過迭代循環(huán)實現(xiàn)：先假設一個初始電子密度，計算對應的勢函數(shù)，求解單電子方程得到波函數(shù)，再由波函數(shù)重新計算電子密度；重復此過程，直到兩次迭代的電子密度（或總能量）的差異小于設定閾值，達到自洽收斂。

收斂后得到的電子密度、總能量、電荷密度等，是體系的基態(tài)性質(zhì)。

2、非自洽計算（Non-SCF）

非自洽計算不更新電子密度，而是固定電子密度（通常取自 SCF 計算的收斂結果），在此基礎上求解 Kohn-Sham 方程，計算特定需求的物理量。

因為電子密度不再迭代更新，所以計算速度遠快于 SCF，且不需要滿足自洽收斂條件。

二、關鍵差異對比

三、 典型應用場景

1、自洽計算的應用

• 優(yōu)化晶胞參數(shù)和原子位置（結構弛豫，IBRION≠0時默認包含 SCF）；

• 計算體系的基態(tài)總能量、形成能、結合能；

• 獲得收斂的電荷密度，為后續(xù) Non-SCF 計算提供輸入。

2、非自洽計算的應用

• 高精度能帶結構計算：先通過 SCF 得到基態(tài)密度，再選取高對稱 k 點路徑，用 Non-SCF 計算能帶（需設置KPOINTS為高對稱路徑）；

• 態(tài)密度（DOS）計算：使用密集的 k 點網(wǎng)格，固定電荷密度計算 DOS，提高精度；

• 電荷密度差分、局域態(tài)密度（LDOS）：基于固定密度分析電子分布的變化；

• 光學性質(zhì)、介電函數(shù)等進階性質(zhì)的計算。

四、 二者的關聯(lián)

在 VASP 的實際計算中，Non-SCF 計算幾乎總是依賴于 SCF 計算的結果：

1、先進行 SCF 計算，得到收斂的電荷密度文件（CHGCAR）和波函數(shù)文件（WAVECAR）；

2、保持體系結構不變，修改INCAR參數(shù)（如設置ICHARG=11）、KPOINTS文件（如高對稱路徑），執(zhí)行 Non-SCF 計算，調(diào)用CHGCAR中的電荷密度進行后續(xù)求解。