TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

賓夕法尼亞、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開(kāi)關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導(dǎo)通電阻的器件減小65 %。

日前發(fā)布的TrenchFET? 第四代功率MOSFET典型導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低20 %，F(xiàn)OM比上一代解決方案低17 %。這些指標(biāo)降低了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，從而節(jié)省能源。外形緊湊的靈活器件便于設(shè)計(jì)師取代相同導(dǎo)通損耗，但體積大的MOSFET，節(jié)省PCB空間，或尺寸相似但導(dǎo)通損耗高的MOSFET。 

SiSS94DN適用于隔離式DC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)原邊開(kāi)關(guān)和同步整流，包括通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)外設(shè)、消費(fèi)電子； 筆記本電腦、LED電視、車(chē)輛船舶LED背光；以及GPS、工廠自動(dòng)化和工業(yè)應(yīng)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、負(fù)載切換和功率轉(zhuǎn)換。

器件經(jīng)過(guò)100 % RG和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

SiSS94DN現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對(duì)于汽車(chē)、工業(yè)、計(jì)算、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天和醫(yī)療市場(chǎng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech?。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。