科達(dá)嘉電子 小尺寸一體成型電感
DDR5作為下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生,旨在滿足數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算及高端計(jì)算機(jī)對(duì)更高速度和更大容量的迫切需求。而新一代存儲(chǔ)技術(shù)的變革與發(fā)展,對(duì)電感器的產(chǎn)品尺寸、電氣性能等也提出了更高的要求。
產(chǎn)品分類:工業(yè)電源
品牌:科達(dá)嘉
產(chǎn)品介紹

一、DDR5對(duì)電感器的需求
DDR5 是第五代雙倍數(shù)據(jù)率內(nèi)存技術(shù)的縮寫。它是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一種高速隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存類型。相對(duì)于 DDR4內(nèi)存,DDR5 的帶寬和傳輸速度比 DDR4 提高了近 2.5 倍,這使得 DDR5 能夠處理更多的數(shù)據(jù),提升系統(tǒng)性能。DDR5單條最大容量可達(dá)到甚至超過(guò)128GB,適合人工智能、數(shù)據(jù)中心等對(duì)大內(nèi)存有需求的場(chǎng)景。另外,DDR5在 50% 峰值電流負(fù)載下電源轉(zhuǎn)換效率要求高于92%,高于DDR4 的90%轉(zhuǎn)換效率。總體來(lái)看,DDR5 數(shù)據(jù)傳輸速度更快、功耗更小、效率轉(zhuǎn)換要求更高、內(nèi)存容量更大。
與 DDR4 將主要電源管理芯片放在主板上不同,DDR5 內(nèi)存模組集成了電源管理芯片PMIC。正是這一架構(gòu)變化,使得電感器的作用和性能要求也發(fā)生了改變。其對(duì)電感的主要需求如下:
? 更高的工作頻率:DDR5 的 PMIC 采用開關(guān)電源架構(gòu),為了實(shí)現(xiàn)更高轉(zhuǎn)換效率和更快的瞬態(tài)響應(yīng),其開關(guān)頻率更高(1MHz 以上)。電感器需具備高頻特性,在高頻率應(yīng)用下保持穩(wěn)定的磁特性,即低磁芯損耗。
? 更高轉(zhuǎn)換效率、更低損耗:DDR5高于92%的電源轉(zhuǎn)換效率,要求電感器具有更低的直流電阻和更低的磁芯損耗。在高頻開關(guān)下,磁芯的磁滯損耗和渦流損耗必須最小化。
? 更高的飽和電流:DDR5 內(nèi)存顆粒的工作電壓更低,但數(shù)據(jù)處理量更大、速度更快,導(dǎo)致其瞬間峰值電流很高且波動(dòng)劇烈。優(yōu)異的飽和電流特性使電感器可以處理瞬間高峰值電流,避免電感器失效。
? 更小尺寸、更高功率密度:DDR5 的PMIC 及其周邊的無(wú)源元件都直接集成在內(nèi)存條上,PCB板空間極其有限。且每個(gè)內(nèi)存條上都有多相電源,需要用到多個(gè)電感,這推動(dòng)了電感向小型化、輕薄化、高功率密度發(fā)展。
二、小尺寸一體成型電感推薦
為滿足終端客戶對(duì)DDR5電感的需求,科達(dá)嘉通過(guò)自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新,推出多個(gè)系列小體積、高效率和低損耗電感產(chǎn)品。其中,KSTB、CSTB系列一體成型電感專為滿足DDR5嚴(yán)苛要求而設(shè)計(jì)。電感經(jīng)過(guò)優(yōu)化處理,具備大電流承載能力、低損耗特性、高可靠性及緊湊布局,是現(xiàn)代DDR5內(nèi)存模塊的理想選擇。
1、一體成型電感KSTB系列
KSTB一體成型電感目前推出了3個(gè)系列,分別是KSTB201610、KSTB252012、KSTB322512。其中,KSTB201610系列電感尺寸僅2.0mm x 1.6mm x 1.0mm。KSTB系列電感采用扁平線繞組+金屬磁粉芯壓鑄,具有低損耗、高效率、應(yīng)用頻率寬等特點(diǎn),電感值范圍0.10~4.70μH,飽和電流2.30~12.00 A,電阻值范圍4.0~115 mΩ。

表一:KSTB系列電感主要規(guī)格尺寸

2、一體成型電感CSTB系列
CSTB系列一體成型電感目前共推出了10個(gè)系列,最小尺寸1.6mm x 0.8mm x 0.8mm。該系列電感采用低損耗合金粉末壓鑄,具有低損耗,高效率,應(yīng)用頻率寬等卓越性能。輕薄型設(shè)計(jì),節(jié)省空間,適合高密度貼裝。電感值范圍0.11~10.0 μH,飽和電流1.0~14.0 A,電阻值最小為7.0 mΩ。
表二:CSTB系列電感主要規(guī)格尺寸

三、產(chǎn)品特點(diǎn)
科達(dá)嘉小尺寸一體成型電感KSTB、CSTB系列從結(jié)構(gòu)、材料和工藝上進(jìn)行了全面優(yōu)化,以滿足DDR5等高功率密度方案設(shè)計(jì)對(duì)電感產(chǎn)品尺寸、電氣性能的高要求。其主要特性如下:
1. 一體成型結(jié)構(gòu),超低蜂鳴噪音
一體成型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效抑制了傳統(tǒng)電感因磁芯與線圈間隙或磁致伸縮引起的振動(dòng)噪音,實(shí)現(xiàn)了超低蜂鳴噪音。這對(duì)于需要安靜運(yùn)行環(huán)境的服務(wù)器、存儲(chǔ)設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品而言,是提升用戶體驗(yàn)的關(guān)鍵。
2. 高效率、低損耗,高頻性能卓越
電感采用扁平線圈繞組與低損耗磁性粉末壓鑄技術(shù),具有極低的直流電阻(DCR)和磁芯損耗。同時(shí),電感器具有高頻特性,在寬頻率范圍內(nèi)保持高效率,特別適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用,顯著降低系統(tǒng)整體能耗和溫升。
3. 輕薄小巧,節(jié)省空間
尺寸一體成型電感采用輕薄型設(shè)計(jì),其中,KSTB系列電感最小尺寸2.0 x 1.6 x 1.0 mm,CSTB系列電感最小尺寸1.6 x 0.8 x 0.8mm,使得DDR5能在緊湊的空間里實(shí)現(xiàn)高密度貼裝,為復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)提供了靈活性。
4. 磁屏蔽結(jié)構(gòu),抗電磁干擾性能強(qiáng)
磁屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),抗電磁干擾(EMI)性能強(qiáng)勁。助力產(chǎn)品輕松通過(guò)嚴(yán)格的EMC測(cè)試,并提升整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行穩(wěn)定性。
5. 適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境,產(chǎn)品穩(wěn)定可靠
工作溫度范圍:-40 / -55℃ ~ +125℃,能應(yīng)對(duì)各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境,確保在寬溫條件下依然保持穩(wěn)定的電氣性能。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
小尺寸一體成型電感CSTB、KSTB系列以其輕薄型設(shè)計(jì)和卓越電氣性能,助力實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換高能效,成為工程師在下一代計(jì)算系統(tǒng)中平衡性能、空間與成本的理想選擇。其主要應(yīng)用如下:
? DDR5內(nèi)存條、固態(tài)硬盤
? CPU/GPU處理器
? 噪聲抑制與濾波電路
? 網(wǎng)絡(luò)通信及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)
五、生產(chǎn)情況
產(chǎn)品已批量生產(chǎn),交期4-6周。
產(chǎn)品符合RoHS、REACH、無(wú)鹵等環(huán)保要求。
如需了解產(chǎn)品詳情,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)科達(dá)嘉官網(wǎng)或聯(lián)系科達(dá)嘉銷售人員。
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