設(shè)想你正為比沙粒還小巧的芯片構(gòu)筑“庇護所”——它既要屏蔽外界對脆弱電路的潛在威脅，又要確保與外部設(shè)備無縫互聯(lián)，同時還需高效應(yīng)對散熱堆積與信號干擾的復雜挑戰(zhàn)。這，正是集成電路封裝（IC Packaging）的核心意義。

微米世界的競爭：激光植球工藝的精進之路

封裝技術(shù)的演進，始終圍繞“更小、更密、更強”的主線展開：從體積龐大的 DIP，到伴隨 SMT 崛起而普及的 QFP，再到 20 世紀 90 年代出現(xiàn)的 LGA、BGA，封裝技術(shù)在設(shè)計和工藝上持續(xù)演進。進入 21 世紀，倒裝、SiP、WLP 等先進封裝技術(shù)快速興起。近年來，在AI、大算力與移動終端的強勁拉動下，結(jié)構(gòu)型封裝（SiP）、晶圓級封裝（WLP）及扇出型封裝（Fan-Out）等技術(shù)快速普及，先進封裝市場呈現(xiàn)井噴態(tài)勢。

Yole Group的數(shù)據(jù)印證了這一趨勢：2024 年先進封裝市場達460億美元，較2023年回暖后同比增長19%，預計 2030 年將超794億美元，2024-2030年復合年增長率達 9.5%，AI 與高性能計算需求是主要驅(qū)動力。

在這一進程中，植球工藝作為先進封裝的核心環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到最終產(chǎn)品的性能與可靠性。

隨著先進封裝中凸點尺寸進入微米級，傳統(tǒng)植球工藝因加工精度有限、熱影響區(qū)大、定制成本高等缺陷，已難以滿足高端生產(chǎn)應(yīng)用的需求。

激光植球技術(shù)正成為解決這些問題的關(guān)鍵路徑。它通過高精度激光聚焦熔化焊球，實現(xiàn)無助焊劑焊接，可有效改善傳統(tǒng)網(wǎng)版印刷植球存在的小組件易損傷、精度難控制、助焊劑易污染器件等缺點，更大幅提升了植球的精度與一致性。

破局之道：鐳射沃的50μm精度飛躍

當下激光植球雖然憑借其無接觸、無需助焊劑、加工工序少、良率高的優(yōu)勢取得了一定的應(yīng)用，但植球精度受限（長期停滯在80μm左右）、熱影響范圍不穩(wěn)定、個性化需求多及定制成本高等問題仍長期制約該技術(shù)的進一步推廣。

針對上述行業(yè)存在的問題，國內(nèi)激光錫焊領(lǐng)域頭部企業(yè)——鐳射沃給出了全新的解決方案。

據(jù)了解，鐳射沃是一家提供智能激光解決方案的領(lǐng)先公司，自2003年成立以來，專注于激光微型焊球噴射焊接系統(tǒng)、切割、打標和AOI設(shè)備，在3C電子、半導體、汽車電子等領(lǐng)域持續(xù)深耕。

鐳射沃激光科技推出的MLS1112H全自動激光植球設(shè)備，同時兼具速度、精度及穩(wěn)定性，完美地解決了上述制約激光植球技術(shù)進一步推廣的困境。

核心技術(shù)：MLS1112H設(shè)備的創(chuàng)新解析

鐳射沃采用獨創(chuàng)性微氣壓傳感的錯位緊湊型高速非接觸微球激光焊接工藝與結(jié)構(gòu)設(shè)計，拉高了行業(yè)內(nèi)“更小、更快、更可靠”的新標準。

• 精度突破：50μm微錫球焊接技術(shù)，行業(yè)內(nèi)最小尺寸應(yīng)用，XY軸精度差控制在±2μm以內(nèi)，產(chǎn)品良率可達99.8%以上，可應(yīng)用于芯片植球領(lǐng)域，大幅提升了封裝密度和產(chǎn)品性能。

• 效率提升：實現(xiàn)7球/秒高速放球，優(yōu)于國際水平3-4球/秒，顯著提高了生產(chǎn)效率。

• 智能化集成：全自動化設(shè)計，配合AOI視覺檢測和高精度CCD定位，確保高良率和超高精度。適用于晶圓級封裝（WLCSP）、系統(tǒng)級封裝（SiP）等各種先進半導體封裝場景。

傳統(tǒng)激光植球設(shè)備在面對多樣化產(chǎn)品需求時，在切換過程中，往往需要重新編程、調(diào)整坐標，耗時且適配復雜，導致設(shè)備定制研發(fā)周期長、投入高，制約了中小企業(yè)的應(yīng)用普及。

對此，鐳射沃憑借在激光精密焊接領(lǐng)域的深厚積累，新推出了MLS1112H全自動激光植球設(shè)備，該設(shè)備僅需編程及坐標輸入，即可快速完成產(chǎn)品切換，耗時僅10余分鐘。這一特性顯著提升生產(chǎn)效率，更適應(yīng)產(chǎn)品快速迭代需求，為高端制造領(lǐng)域提供高效、靈活的技術(shù)解決方案。此外，該設(shè)備通過微氣壓傳感實時反饋進行閉環(huán)控制，可實現(xiàn)焊錫覆蓋率＞90%，良率99.8%以上。

傳統(tǒng)植球工藝VS鐳射沃激光植球工藝

結(jié)語：未來布局，重塑半導體封裝的可能性

在后摩爾定律時代，先進封裝對于芯片及系統(tǒng)整體性能提升的重要性愈發(fā)明顯，其中，封裝設(shè)備作為核心載體，其精度與可靠性直接決定良品率與成本，是半導體產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)。唯有實現(xiàn)設(shè)備自主可控，才能突破技術(shù)封鎖，在全球競爭中掌握主動權(quán)，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革。

鐳射沃研發(fā)的MLS1112H全自動激光植球設(shè)備在50μm植球領(lǐng)域的突破，不僅是精密制造技術(shù)的升級，更是半導體產(chǎn)業(yè)向小型化、高性能化演進的關(guān)鍵支撐。從消費電子到半導體封裝，其技術(shù)應(yīng)用正在重塑多個行業(yè)的生產(chǎn)范式。憑借全自主研發(fā)的硬件實力、智能化的軟件生態(tài)和深度定制的服務(wù)能力，鐳射沃正推動中國芯片封裝設(shè)備產(chǎn)業(yè)邁向新的高度。