隨著新能源行業(yè)的發(fā)展，IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設(shè)備、光伏SVG系統(tǒng)中的關(guān)鍵半導(dǎo)體器件組成部分，市場對其應(yīng)用條件和性能提出更高的要求，對于驅(qū)動方案的要求也隨之提高。日前，金升陽推出了IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品，以及滿足更加嚴苛的應(yīng)用需求的驅(qū)動電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品。

為打造更具有高性價比的驅(qū)動電源，金升陽基于自主IC設(shè)計平臺升級開發(fā)出內(nèi)部采用非對稱式電壓輸出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列產(chǎn)品，以期為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案。

產(chǎn)品優(yōu)勢

5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

基于自主IC設(shè)計平臺，此系列產(chǎn)品能提供兩組隔離輸出電壓，輸出1-輸出2隔離電壓高達3750VAC，同時輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC，遠優(yōu)于市場上常規(guī)產(chǎn)品，且滿足加強絕緣設(shè)計要求，整體可靠性得到極大提升。

滿足1700VDC長期絕緣要求（使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）

QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列驅(qū)動電源基于IEC-61800-5-1標準要求，實現(xiàn)長期絕緣電壓（持續(xù)放電）滿足1700V，且應(yīng)用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件，產(chǎn)品原副邊電氣間隙/爬電距離達22.36mm（typ.）。

性能更優(yōu)

△ 支持雙組驅(qū)動，滿足半橋式整流應(yīng)用

△ 低低紋&波噪聲：50mVpp

△ 強帶載能力：2200uF

△ 超小隔離電容：4.2pF

△ 高效率：85%

高性價比

此系列是專門為IGBT/SIC MOSFET驅(qū)動器而設(shè)計的DC-DC模塊電源，其內(nèi)部采用了非對稱式電壓輸出形式，盡可能減小IGBT/SIC MOSFET的驅(qū)動損耗。且雙組輸出QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列的成本低于2個單組輸出產(chǎn)品合價。

產(chǎn)品應(yīng)用

作為IGBT/SiC MOSFET專用驅(qū)動電源，可用于光伏逆變器、電機驅(qū)動、充電樁等多種場合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅(qū)動，以光伏SVG系統(tǒng)為例，可配合驅(qū)動芯片來共同驅(qū)動后端的IGBT器件，實現(xiàn)系統(tǒng)的有效運行。

產(chǎn)品特點

產(chǎn)品布局

詳情可參考產(chǎn)品技術(shù)手冊或咨詢sales@mornsun.cn