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半導(dǎo)體測試入門:分清 CP 和 FT

半導(dǎo)體測試入門:分清 CP 和 FT

2026/1/26 11:24:11

剛?cè)胄械臏y試工程師,有時候會對著測試數(shù)據(jù)犯嘀咕:明明在CP階段性能很好的芯片,到了FT怎么就出問題了?或者反過來,CP良率一般,F(xiàn)T卻一路綠燈。這往往不是測試程序有誤,而是沒真正理解CP和FT在整個芯片制造流程中扮演的不同角色。說白了,它們是芯片在“出生”與“成年”階段接受的兩次關(guān)鍵體檢,目的、方法和標(biāo)準(zhǔn)截然不同。

咱們今天就把這兩者的核心區(qū)別捋清楚。

階段與對象:從“集體初篩”到“個體終檢”

最根本的區(qū)別在于測試的時機(jī)和對象。

CP測試,全稱Chip Probing,也叫晶圓測試。它發(fā)生在芯片封裝之前。工程師使用精密的探針卡,直接接觸晶圓上每一顆芯片的焊墊(Pad),對還是“連體嬰兒”狀態(tài)的裸晶(Die)進(jìn)行測試。你可以把它理解為芯片在出廠前的第一次集體篩查。

FT測試,全稱Final Test,即最終測試。它發(fā)生在芯片完成封裝、成為獨(dú)立的個體之后。芯片被放入測試座(Socket),通過其外部的引腳(Pin)進(jìn)行測試。這才是芯片面向客戶的最后一次全面資格認(rèn)證。

目的與策略:?!昂诵摹迸c?!俺善贰?/strong>

正因為階段不同,兩者的核心目標(biāo)也產(chǎn)生了戰(zhàn)略性的分工。

CP測試的首要目的是“省錢”。晶圓制造成本高昂,如果直接把有缺陷的Die封裝,將白白浪費(fèi)封裝成本。CP的核心任務(wù)就是在封裝前,把那些功能明顯失效、存在嚴(yán)重缺陷的Die標(biāo)記出來(通常用墨點或電子圖),在后續(xù)環(huán)節(jié)予以剔除。它的測試項目會聚焦于芯片最核心、最基本的電路功能和關(guān)鍵參數(shù),是一種相對快速、覆蓋核心問題的篩選。

FT測試的最終目的是“保質(zhì)”。此刻,封裝成本已經(jīng)投入,芯片必須以最終形態(tài)面對客戶。FT測試必須確保交付的每一顆芯片,其性能、可靠性、交直流特性完全符合產(chǎn)品規(guī)格書(Datasheet)的全部要求。它的測試更全面、更嚴(yán)格,并且是在真實的應(yīng)用環(huán)境下(通過封裝引腳)進(jìn)行驗證。

技術(shù)實現(xiàn):探針與引腳的較量

目標(biāo)的不同,直接體現(xiàn)在測試硬件和環(huán)境上。

1.測試接口:CP使用探針卡,針尖極細(xì),直接扎在微米級的鋁或銅焊墊上;FT使用測試座(Socket),連接的是已成型的、相對粗壯的封裝引腳。這意味著CP的接觸電阻、寄生參數(shù)更敏感,對信號完整性挑戰(zhàn)更大。

2.測試環(huán)境:由于是裸晶,CP測試通常在室溫下進(jìn)行,不太會做高低溫測試(工程驗證除外)。而FT測試則必須覆蓋產(chǎn)品規(guī)格要求的全部溫度范圍(如-40℃, 25℃, 85℃),以驗證芯片在全溫域下的工作穩(wěn)定性。

3.測試速度與并行度:為了提高效率,CP測試會采用更高的并行度,一次測試幾十甚至上百顆Die。FT雖然也能并行,但受限于測試座成本和散熱,并行數(shù)通常較低,但單個測試項目可能更詳盡。

總結(jié)來看,CP是 “經(jīng)濟(jì)性篩選” ,重在快速剔除,守護(hù)的是前道制程的成果,避免后續(xù)的浪費(fèi)。FT是 “質(zhì)量性放行” ,重在全面驗證,守護(hù)的是品牌信譽(yù)和客戶滿意度。兩者數(shù)據(jù)結(jié)合,才能完整描繪出芯片的制造良率曲線,并為前道工藝改進(jìn)和后道質(zhì)量提升提供精準(zhǔn)反饋。

一個思考題留給大家: 你們在項目中,是否遇到過CP與FT良率倒掛的情況?比如CP良率很高,但FT良率偏低,可能是什么原因?qū)е碌??是封裝過程引入了應(yīng)力損傷,還是測試條件(如溫度、信號負(fù)載)的根本差異暴露了設(shè)計邊際(Design Margin)的問題?歡迎在評論區(qū)分享你的實戰(zhàn)經(jīng)驗和分析思路,咱們一起探討。

審核編輯(
王靜
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