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美國RF Micro Devices公司

供稿:美國RF Micro Devices公司 2006/8/17 9:10:00

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美國RFMD芯片公司 RF Micro Devices 成立于1991,總公司座落在北卡羅來納州 (Greensboro, NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研發(fā)支出占總營業(yè)額約25%,由一群射頻設計之專業(yè)研發(fā)團隊所成立,設計工程師專精在無線通訊領域都具備相當完整射頻集成電路( RF Integrate Circuit) 設計經驗平均年資超過25年以上,設計工程師占全公司總人數28%目前約1400人。并且它也擁有多項專精制程技術,例如:AlGaAs、HBT SiGe、BiCMOS、GaN、GaAs pHEMT、InGaP HBT...等,堪稱世界一流的射頻集成電路設計公司。 本于對產品的價格競爭、品質要求、技術創(chuàng)新,該公司目前有8個設計中心, 6個分處位于美國、1個位于加拿大(Canada)、1個位于丹麥(Denmark), 成立至今,已擁有之客戶都是全球一流公司,例如:Nokia, Motorola, Samsung, Sony-Ericsson, Sony, Kyocera, Siemens, Fujitsu, Cisco, 3COM, HP, Delphi, Maxon...等。 目前,提供市場應用的產品,區(qū)分為四大領域: 手持式行無線移動裝置(Wireless Handsets) 無線局域網絡 (WLAN802.11A/B/G) 基礎通訊設備(Wireless Infrastructure) 籃牙與全球定位系統裝置(Bluetooth & GPS)應用

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